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REGe:N型同轴锗探测器(GR系列探测器)

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N型同轴锗探测器(GR系列探测器)在几何形状上与其他同轴锗探测器相似,但有一个重要区别。REGe探测器的电极与传统的同轴探测器相反,即p型电极(离子注入硼)位于外侧,而n型接触(扩散锂)位于内侧。这种电极排列有两个优点——窗口厚度和抗辐射损伤能力。
产品详情

1

简介

    N型同轴锗探测器(GR系列探测器)在几何形状上与其他同轴锗探测器相似,但有一个重要区别。REGe探测器的电极与传统的同轴探测器相反,即p型电极(离子注入硼)位于外侧,而n型接触(扩散锂)位于内侧。这种电极排列有两个优点——窗口厚度和抗辐射损伤能力。  

2

特点

    1、能量范围3 keV~>10 MeV  

    2、超薄离子注入接触的设计

    3、具有抗辐射损伤能力

    4、具有出色的时间分辨率

    5、二极管FET保护

    6、配备了智能前置放大器

    7、预热/高压关闭

    8、USB 2.0 串行接口


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N型同轴锗探测器(GR系列探测器)在几何形状上与其他同轴锗探测器相似,但有一个重要区别。REGe探测器的电极与传统的同轴探测器相反,即p型电极(离子注入硼)位于外侧,而n型接触(扩散锂)位于内侧。这种电极排列有两个优点——窗口厚度和抗辐射损伤能力。
0755-27918647
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1

简介

    N型同轴锗探测器(GR系列探测器)在几何形状上与其他同轴锗探测器相似,但有一个重要区别。REGe探测器的电极与传统的同轴探测器相反,即p型电极(离子注入硼)位于外侧,而n型接触(扩散锂)位于内侧。这种电极排列有两个优点——窗口厚度和抗辐射损伤能力。  

2

特点

    1、能量范围3 keV~>10 MeV  

    2、超薄离子注入接触的设计

    3、具有抗辐射损伤能力

    4、具有出色的时间分辨率

    5、二极管FET保护

    6、配备了智能前置放大器

    7、预热/高压关闭

    8、USB 2.0 串行接口


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